Как проверить igbt модуль

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT либо БТИЗ)

Принцип работы IGBT транзисторов основан на применении n-канального МОП-транзистора малой мощности для управления массивным биполярным транзистором. Таковым образом, удалось скооперировать плюсы биполярного и полевого транзистора. Малая управляющая мощность, высочайшее входное сопротивление, большой уровень пробивных напряжений, маленькое сопротивление в открытом состоянии — разрешают использовать IGBT в цепях с высочайшими напряжениями и большими токами.

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT либо БТИЗ) целенаправлено употреблять в сильноточных, высоковольтных главных схемах.

Сварочные аппараты, бесперебойного питания, приводы электрических движков, массивные преобразователи напряжения – вот сфера внедрения таковых элементов.

Названия выводов IGBT: затвор, эмиттер, коллектор.

Биполярные транзисторы с изолированным затвором способны коммутировать токи в тыщи ампер, напряжение эмиттер-коллектор может достигать несколько киловольт. Но частота работы этих транзисторов существенно ниже, чем частота полевых транзисторов.

Как проверить IGBT транзистор мультиметром

Проверяется IGBT FGH40N60SFD. IGBT нередко пробиваются накоротко, такие неисправные транзисторы просто выявить с помощью мультиметра.

Перед проверкой IGBT транзистора мультиметром, нужно обратиться к справочным данным и узнать назначение его выводов.

Потом произвести последующие действия:

1. Переключить мультиметр в режим «прозвонка». Произвести измерение меж затвором и эмиттером для выявления возможного замыкания.

2. Произвести измерение меж затвором и коллектором для выявления возможного замыкания.

3. На секунду замкнуть пинцетом либо перемычкой эмиттер и затвор. Опосля этого транзистор будет гарантированно закрыт.

4. Соединить щуп мультиметра «V/Ω» с эмиттером, щуп «СОМ» с коллектором. Мультиметр должен показать падение напряжения на внутреннем диоде.

5.

Соединить щуп мультиметра «V/Ω» с коллектором, щуп «СОМ» с эмиттером. Мультиметр должен показать отсутствие замыкания и утечки.

Для наиболее надежной проверки IGBT транзистора можно собрать последующую схему:

При замыкании контактов клавиши лампочка обязана зажигаться, при размыкании – тухнуть.

В этом видео показано как проверить IGBT мультиметром:

Опубликовано 05.11.2016

Биполярные транзисторы с изолированным затвором являются новеньким типом активного устройства, который возник сравнимо не так давно. Его входные свойства подобны входным чертам полевого транзистора, а выходные – выходным чертам биполярного.

В литературе этот устройство именуют IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor). По быстродействию они существенно превосходят биполярные транзисторы. Почаще всего IGBT-транзисторы юзают в качестве массивных ключей, у которых время включения 0,2 — 0,4 мкс, а время выключения 0,2 — 1,5 мкс, коммутируемые напряжения добиваются 3,5 кВ, а токи 1200 А.

IGBT-транзисторы вытесняют тиристоры из высоковольтных схем преобразования частоты и разрешают сделать импульсные вторичного электропитания с отменно наилучшими чертами. IGBT-транзисторы юзаются довольно обширно в инверторах для управления электродвигателями, в массивных системах бесперебойного питания с напряжениями выше 1 кВ и токами в сотки ампер.

В некий степени это является следствием того, что во включенном состоянии при токах в сотки ампер падение напряжения на транзисторе находится в пределах 1,5 — 3,5В.

Как видно из структуры IGBT-транзистора (рис. 1), это довольно непростой устройство, в котором транзистор типа р–n–р управляется МОП-транзистором с каналом типа n.

Рис. 1. Структура IGBT-транзистора

Коллектор IGBT-транзистора (рис. 2,а) является эмиттером транзистора VT4. При подаче положительного напряжения на затвор у транзистора VT1 по-является электропроводный канал.

Через него эмиттер транзистора IGBT (коллектор транзистора VT4) оказывается соединенным с базой транзистора VT4.

Это приводит к тому, что он на сто процентов отпирается и падение напряжения меж коллектором транзистора IGBT и его эмиттером становится равным падению напряжения на эмиттерном переходе транзистора VT4, просуммированному с падением напряжения Uси на транзисторе VT1.

В связи с тем, что падение напряжения на р–n-переходе миниатюризируется с повышением температуры, падение напряжения на отпертом IGBT-транзисторе в определенном спектре токов имеет отрицательный температурный коэффициент, который становится положительным при большом токе.

Потому падение напряжения на IGBT-транзисторе не опускается ниже порогового напряжения диода (эмиттерного перехода VТ4).

Рис. 2. Эквивалентная схема IGBT-транзистора (а) и его условное обозначение в отечественной (б) и иностранной (в) литературе

При увеличении напряжения, приложенного к транзистору IGBT, возрастает ток канала, определяющий ток базы транзистора VT4, при этом падение напряжения на IGBT-транзисторе миниатюризируется.

При запирании транзистора VT1 ток транзистора VT4 становится малым, что дозволяет считать его запертым. Доп слои введены для исключения режимов работы, соответствующих для тиристоров, когда происходит лавинный пробой.

Как проверить igbt модуль

Буферный слой n+ и широкая базисная область n– обеспечивают уменьшение коэффициента усиления по току p–n–p-транзистора.

Общая картина включения и выключения довольно непростая, так как наблюдаются конфигурации подвижности носителей заряда, коэффициентов передачи тока у имеющихся в структуре p–n–p- и n–p–n-транзисторов, конфигурации сопротивлений областей и пр. Хотя в принципе IGBT–транзисторы могут быть применены для работы в линейном режиме, пока в основном их используют в главном режиме.

При этом конфигурации напряжений у коммутируемого ключа характеризуются кривыми, показанными на рис.3.

Рис. 3. Изменение падения напряжения Uкэ и тока Ic IGBT-транзистора

Рис.

4. Схема замещения транзистора типа IGBT (а) и его вольт-амперные свойства (б)

Исследования проявили, что для большинства транзисторов типа IGBT времена включения и выключения не превосходят 0,5 — 1,0 мкс. Для уменьшения количества доп наружных компонентов в состав IGBT-транзисторов вводят диоды либо выпускают модули, состоящие из пары компонентов (рис. 5, а – г).

Рис. 5. Условные обозначения модулей на IGBT-транзисторах: а – МТКИД; б – МТКИ; в – М2ТКИ; г — МДТКИ

Условные обозначения IGBT-транзисторов включают: буковку М – модуль беспотенциальный (основание изолировано); 2 – количество ключей; буковкы ТКИ – биполярный с изолированным затвором; ДТКИ – диод/биполярный транзистор с изолированным затвором; ТКИД – биполярный транзистор с изолированным затвором/диод; цифры: 25, 35, 50, 75, 80, 110, 150 – наибольший ток; цифры: 1, 2, 5, 6, 10, 12 – наибольшее напряжение меж коллектором и эмиттером Uкэ (*100В).

Как проверить igbt модуль

К примеру модуль МТКИД-75-17 имеет UКЭ =1700 В, I=2*75А, UКЭотк =3,5 В, PKmax =625 Вт.

д.т.н., доктор Л. А. Потапов

Биполярный транзистор с изолированным затвором

В современной силовой электронике обширное распространение получили так именуемые транзисторы IGBT. Данная аббревиатура взята из забугорной терминологии и расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, а на российский манер звучит как Биполярный Транзистор с Изолированным Затвором.

Потому IGBT транзисторы ещё именуют БТИЗ.

БТИЗ представляет собой электронный силовой устройство, который юзается в качестве массивного электронного ключа, устанавливаемого в импульсные питания, инверторы, а также системы управления электроприводами.

IGBT транзистор — это достаточно хитроумный устройство, который представляет собой гибрид полевого и биполярного транзистора. Данное сочетание привело к тому, что он унаследовал положительные свойства, как полевого транзистора, так и биполярного.

Суть его работы заключается в том, что полевой транзистор заведует массивным биполярным.

В итоге переключение сильной перегрузки становиться вероятным при малой мощности, так как управляющий сигнал поступает на затвор полевого транзистора.

Вот так смотрятся современные IGBT FGH40N60SFD конторы Fairchild. Их можно найти в сварочных инверторах марки "Ресанта" и остальных подобных аппаратах.

Внутренняя структура БТИЗ – это каскадное подключение 2-ух электронных входных ключей, которые управляют оконечным плюсом. Дальше на рисунке показана упрощённая эквивалентная схема биполярного транзистора с изолированным затвором.

Упрощённая эквивалентная схема БТИЗ

Весь процесс работы БТИЗ может быть представлен 2-мя этапами: как лишь подается положительное напряжение, меж затвором и истоком раскрывается полевой транзистор, то есть появляется n — канал меж истоком и стоком.

При этом начинает происходить движение зарядов из области n в область p, что влечет за собой открытие биполярного транзистора, в итоге что от эмиттера к коллектору устремляется ток.

Условное обозначение БТИЗ (IGBT) на принципиальных схемах.

Поскольку БТИЗ имеет комбинированную структуру из полевого и биполярного транзистора, то и его выводы получили наименования затвор — З (управляющий электрод), эмиттер (Э) и коллектор (К).

На забугорный манер вывод затвора обозначается буковкой G, вывод эмиттера – E, а вывод коллектора – C.

Условное обозначение БТИЗ (IGBT)

На рисунке показано условное графическое обозначение биполярного транзистора с изолированным затвором. Также он может изображаться со интегрированным быстродействующим диодом.

Особенности и сферы внедрения БТИЗ.

Отличительные свойства IGBT:

Управляется напряжением (как хоть какой полевой транзистор);

Имеют низкие утраты в открытом состоянии;

Могут работать при температуре наиболее 100 0 C;

Способны работать с напряжением наиболее 1000 Вольт и мощностями выше 5 киловатт.

Перечисленные свойства дозволили использовать IGBT транзисторы в инверторах, частотно-регулируемых приводах и в импульсных регуляторах тока.

Не считая того, они нередко используются в х сварочного тока (подробнее о устройстве сварочного инвертора), в системах управления сильными электроприводами, которые инсталлируются, к примеру, на электротранспорт: электровозы, трамваи, троллейбусы. Такое решение существенно наращивает КПД и обеспечивает высшую плавность хода.

Кроме того, устанавливают данные устройства в х бесперебойного питания и в сетях с высочайшим напряжением.

Их можно найти в составе электронных схем стиральных, швейных и посудомоечных машин, инверторных кондюков, насосов, системах электронного зажигания каров, системах электропитания серверного и телекоммуникационного оборудования. Как лицезреем, сфера внедрения БТИЗ достаточно велика.

История возникновения БТИЗ.

Впервые массивные полевые транзисторы возникли в 1973 году, а уже в 1979 году была предложена схема составного транзистора, оснащенного управляемым биполярным транзистором при помощи полевого с изолированным затвором. В ходе тестов было установлено, что при использовании биполярного транзистора в качестве ключа на основном транзисторе насыщение отсутствует, а это существенно понижает задержку в случае выключения ключа.

Несколько позднее, в 1985 году был представлен БТИЗ, отличительной индивидуальностью которого была плоская структура, спектр рабочих напряжений стал больше.

Так, при больших напряжениях и огромных токах утраты в открытом состоянии чрезвычайно малы.

Как проверить igbt модуль

При этом устройство имеет похожие свойства переключения и проводимости, как у биполярного транзистора, а управление осуществляется за счет напряжения.

Первое поколение устройств имело некие недостатки: переключение происходило медлительно, да и надежностью они не отличались. 2-ое поколение увидело свет в 90-х годах, а третье поколение выпускается по настоящее время: в них устранены подобнее недочеты, они имеют высочайшее сопротивление на входе, управляемая мощность различается низким уровнем, а во включенном состоянии остаточное напряжение также имеет низкие показатели.

Уже на данный момент в магазинах электронных компонентов доступны IGBT транзисторы, которые могут коммутировать токи в спектре от пары 10-ов до сотен ампер (Iкэ max), а рабочее напряжение (Uкэ max) может варьироваться от пары сотен до тыщи и наиболее вольт.

IGBT-модули.

IGBT-транзисторы выпускаются не лишь в виде отдельных компонентов, но и в виде сборок и модулей.

На фото показан мощнейший IGBT-модуль BSM 50GB 120DN2 из частотного преобразователя (так именуемого "частотника") для управления трёхфазным двигателем.

IGBT модуль

Схемотехника частотника такая, что технологичнее использовать сборку либо модуль, в котором установлено несколько IGBT-транзисторов. Так, к примеру, в данном модуле два IGBT-транзистора (полумост).

Стоит отметить, что IGBT и MOSFET в неких вариантах являются взаимозаменяемыми, но для высокочастотных низковольтных каскадов предпочтение отдают транзисторам MOSFET, а для массивных высоковольтных – IGBT.

Так, к примеру, IGBT транзисторы отлично выполняют свои функции при рабочих частотах до 20-50 килогерц.

При наиболее больших частотах у данного типа транзисторов растут утраты. Также более много способности IGBT транзисторов появляются при рабочем напряжении наиболее 300-400 вольт. Потому биполярные транзисторы с изолированным затвором легче всего найти в высоковольтных и массивных электроприборах, промышленном оборудовании.

Hey there! Thanks for dropping by Цариц Александр! Take a look around and grab the RSS feed to stay updated.

See you around!


Проверка IGBT модулей (транзисторов)

Это перевод нарезки, изготовленный мной, из официальной документации для IGBT модулей (или как их именуют — транзисторов).

Большинство производителей IGBT модулей вполне тестируют их перед отправкой и гарантируют их соответствие утвержденным параметрическим данным. Традиционно мы не советуем юзерам проводить повторные испытания, так как это может разрушить радиодеталь. Ежели Для вас все же нужно произвести проверку, то следуйте нижеуказанным тестам:

  • Никогда не подключайте к эмиттеру напряжение, превышающее значение Vces (указанно в документации для IGBT), а также ни когда не подключайте базу-коллектор к напряжению, превосходящему Vges, когда отслеживаете кривую линейных конфигураций напряжения.
  • Всегда используйте безопасный антистатический при транспортировке, опосля тестирования замените токопроводящий пенона контактах база-эмиттер.¹
  • Никогда не используйте напряжение больше 20В.

    для коллектора-эмиттера с открытой базой (с открытым затвором).

  • Избегайте теплового удара. Никогда не кладите прохладную деталь на нагревательные приборы. Интенсивность нагрева не обязана быть наиболее чем 10Сº/мин.

Процедура тестирования цифровым мультиметром (ЦММ):

Процедура тестирования цифровым мультиметром (ЦММ):

  • Цифровой мультиметр должен демонстрировать какое-либо значение, ежели положительный щуп подключен к коллектору, а отрицательный к эмиттеру. Покоробленный IGBT будет замкнут в обоих направлениях (положительном и отрицательном), либо открыт в обоих направлениях.
  • Всегда используйте безопасный антистатический при транспортировке, опосля тестирования замените токопроводящий пенона контактах база-эмиттер.¹
  • Никогда не используйте напряжение больше 20В.

    для коллектора-эмиттера с открытой базой (с открытым затвором).

  • Требования к оборудованию – ЦММ с режимом проверки диодов и напряжением батареи наименее чем 20В. (Обычно юзаются батареи с напряжением 9V, к примеру «Крона»).
  • Тест перехода коллектор-эмиттер:
  • ЦММ в режиме проверки диодов, при подключении положительного полюса относительно эмиттера и отрицательного полюса относительно коллектора, должен отдать такие же результаты, как при проверке диодов.
  • Требования к оборудованию – ЦММ с режимом проверки диодов и напряжением батареи наименее чем 20В.

    (Обычно юзаются батареи с напряжением 9V, к примеру «Крона»).

  • Никогда не подключайте к эмиттеру напряжение, превышающее значение Vces (указанно в документации для IGBT), а также ни когда не подключайте базу-коллектор к напряжению, превосходящему Vges, когда отслеживаете кривую линейных конфигураций напряжения.
  • Избегайте теплового удара. Никогда не кладите прохладную деталь на нагревательные приборы. Интенсивность нагрева не обязана быть наиболее чем 10Сº/мин.
  • Когда деталь находится вне схемы удалите токопроводящий пенои замкните базу на эмиттер.
  • Тест оксидного слоя затвора: с помощью цифрового мультиметра, в режиме сопротивления, нужно замерить сопротивление меж затвором и коллектором, а также меж затвором и эмиттером, на исправных модулях оно равно бесконечности.

    На покоробленных IGBT модулях данные выводы могут быть замкнуты либо иметь утечку, что покажет наличие сопротивления меж затвором и коллектором и/или эмиттером.

  • Тест перехода коллектор-эмиттер:
  1. Всегда используйте безопасный антистатический при транспортировке, опосля тестирования замените токопроводящий пенона контактах база-эмиттер.¹
  2. ЦММ в режиме проверки диодов, при подключении положительного полюса относительно эмиттера и отрицательного полюса относительно коллектора, должен отдать такие же результаты, как при проверке диодов.
  3. Избегайте теплового удара.

    Никогда не кладите прохладную деталь на нагревательные приборы. Интенсивность нагрева не обязана быть наиболее чем 10Сº/мин.

  4. Когда деталь находится вне схемы удалите токопроводящий пенои замкните базу на эмиттер.
  5. Цифровой мультиметр должен демонстрировать какое-либо значение, ежели положительный щуп подключен к коллектору, а отрицательный к эмиттеру.

    Как проверить igbt модуль

    Покоробленный IGBT будет замкнут в обоих направлениях (положительном и отрицательном), либо открыт в обоих направлениях.

  6. Тест оксидного слоя затвора: с помощью цифрового мультиметра, в режиме сопротивления, нужно замерить сопротивление меж затвором и коллектором, а также меж затвором и эмиттером, на исправных модулях оно равно бесконечности. На покоробленных IGBT модулях данные выводы могут быть замкнуты либо иметь утечку, что покажет наличие сопротивления меж затвором и коллектором и/или эмиттером.
  7. Требования к оборудованию – ЦММ с режимом проверки диодов и напряжением батареи наименее чем 20В.

    (Обычно юзаются батареи с напряжением 9V, к примеру «Крона»).

  8. Никогда не используйте напряжение больше 20В. для коллектора-эмиттера с открытой базой (с открытым затвором).
  9. Никогда не подключайте к эмиттеру напряжение, превышающее значение Vces (указанно в документации для IGBT), а также ни когда не подключайте базу-коллектор к напряжению, превосходящему Vges, когда отслеживаете кривую линейных конфигураций напряжения.
  10. Тест перехода коллектор-эмиттер:
  1. Всегда используйте безопасный антистатический при транспортировке, опосля тестирования замените токопроводящий пенона контактах база-эмиттер.¹
  2. ЦММ в режиме проверки диодов, при подключении положительного полюса относительно эмиттера и отрицательного полюса относительно коллектора, должен отдать такие же результаты, как при проверке диодов.
  3. Избегайте теплового удара.

    Никогда не кладите прохладную деталь на нагревательные приборы. Интенсивность нагрева не обязана быть наиболее чем 10Сº/мин.

  4. Когда деталь находится вне схемы удалите токопроводящий пенои замкните базу на эмиттер.
  5. Цифровой мультиметр должен демонстрировать какое-либо значение, ежели положительный щуп подключен к коллектору, а отрицательный к эмиттеру. Покоробленный IGBT будет замкнут в обоих направлениях (положительном и отрицательном), либо открыт в обоих направлениях.
  6. Тест оксидного слоя затвора: с помощью цифрового мультиметра, в режиме сопротивления, нужно замерить сопротивление меж затвором и коллектором, а также меж затвором и эмиттером, на исправных модулях оно равно бесконечности.

    На покоробленных IGBT модулях данные выводы могут быть замкнуты либо иметь утечку, что покажет наличие сопротивления меж затвором и коллектором и/или эмиттером.

  7. Требования к оборудованию – ЦММ с режимом проверки диодов и напряжением батареи наименее чем 20В. (Обычно юзаются батареи с напряжением 9V, к примеру «Крона»).
  8. Никогда не используйте напряжение больше 20В. для коллектора-эмиттера с открытой базой (с открытым затвором).
  9. Никогда не подключайте к эмиттеру напряжение, превышающее значение Vces (указанно в документации для IGBT), а также ни когда не подключайте базу-коллектор к напряжению, превосходящему Vges, когда отслеживаете кривую линейных конфигураций напряжения.
  10. Тест перехода коллектор-эмиттер:
  • Тест оксидного слоя затвора: с помощью цифрового мультиметра, в режиме сопротивления, нужно замерить сопротивление меж затвором и коллектором, а также меж затвором и эмиттером, на исправных модулях оно равно бесконечности.

    На покоробленных IGBT модулях данные выводы могут быть замкнуты либо иметь утечку, что покажет наличие сопротивления меж затвором и коллектором и/или эмиттером.

1) Все IGBT модули отправляются изготовителем с токопроводящим пеном, на затворе и эмиттере. Никогда не прикасайтесь к выводам затвора во время монтажа и не удаляйте токопроводящий пено

Знаете ли вы, что проверить IGBT транзистор (узнать, годен ли он) можно даже без мультиметра.
Простейшая схема для проверки IGBT транзистора не содержит дефицитных либо дорогостоящих деталей.
Но до этого чем её собирать, откройте datasheet (документ с техническим описанием) определенной модели IGBT транзистора и пристально поглядите на соответствие настоящих выводов схематическим.

Другими словами, вы должны точно знать, где у IGBT транзистора вывод затвора (обозначается буковкой G – Gate), вывод эмиттера (E –Emitter) и вывод коллектора (С – Collector).
На рисунке пример для IGBT транзистора FGH60N60SFD

Обратите внимание, что один из выводов массивных транзисторов традиционно соединен с корпусом – конкретно потому, чтоб не допустить замыканий, корпуса транзисторов перед монтажом изолируют особыми термостойкими прокладками.

Чтобы проверить IGBT транзистор, принципиально знать, как его верно подключить! Обратите внимание на полярность!

1. В правом (по схеме) положении тумблера IGBT транзистор открыт (лампочка светится, ежели он исправен).
2.

В левом — IGBT транзистор закрыт (лампочка НЕ светится, ежели он исправен).
Поклацайте переключателем туда-сюда.
Если лампочка не светится – транзистор не пропускает ток. Возможно, из-за отсутствия контакта снутри корпуса либо некорректно собранной схемы!
Если лампочка светится повсевременно – снутри транзистора вышло короткое замыкание! Таковой IGBT транзистор лучше сходу выбросить – при его случайной установке в схему в ней практически произойдет короткое замыкание, и «полетят» остальные детали!
Как видите, проверить IGBT транзистор просто даже без мультиметра.

Купить IGBT транзисторы по самым низким ценам можно —> здесь

Проверка IGBT модулей (транзисторов)

Это перевод нарезки, изготовленный мной, из официальной документации для IGBT модулей (или как их именуют — транзисторов).

Большинство производителей IGBT модулей на сто процентов тестируют их перед отправкой и гарантируют их соответствие утвержденным параметрическим данным.

Традиционно мы не советуем юзерам проводить повторные испытания, так как это может разрушить радиодеталь. Ежели Для вас все же нужно произвести проверку, то следуйте нижеуказанным тестам:

1) Все IGBT модули отправляются изготовителем с токопроводящим пеном, на затворе и эмиттере. Никогда не прикасайтесь к выводам затвора во время монтажа и не удаляйте токопроводящий пено

Знаете ли вы, что проверить IGBT транзистор (узнать, годен ли он) можно даже без мультиметра.
Простейшая схема для проверки IGBT транзистора не содержит дефицитных либо дорогостоящих деталей.
Но до этого чем её собирать, откройте datasheet (документ с техническим описанием) определенной модели IGBT транзистора и пристально поглядите на соответствие настоящих выводов схематическим.

Другими словами, вы должны точно знать, где у IGBT транзистора вывод затвора (обозначается буковкой G – Gate), вывод эмиттера (E –Emitter) и вывод коллектора (С – Collector).
На рисунке пример для IGBT транзистора FGH60N60SFD

Обратите внимание, что один из выводов массивных транзисторов традиционно соединен с корпусом – конкретно потому, чтоб не допустить замыканий, корпуса транзисторов перед монтажом изолируют особыми термостойкими прокладками.

Чтобы проверить IGBT транзистор, принципиально знать, как его верно подключить!

Обратите внимание на полярность!

1. В правом (по схеме) положении тумблера IGBT транзистор открыт (лампочка светится, ежели он исправен).
2. В левом — IGBT транзистор закрыт (лампочка НЕ светится, ежели он исправен).
Поклацайте переключателем туда-сюда.
Если лампочка не светится – транзистор не пропускает ток. Возможно, из-за отсутствия контакта снутри корпуса либо некорректно собранной схемы!
Если лампочка светится повсевременно – снутри транзистора вышло короткое замыкание! Таковой IGBT транзистор лучше сходу выбросить – при его случайной установке в схему в ней практически произойдет короткое замыкание, и «полетят» остальные детали!
Как видите, проверить IGBT транзистор просто даже без мультиметра.

Купить IGBT транзисторы по самым низким ценам можно —> здесь

Проверка IGBT модулей (транзисторов)

Это перевод нарезки, изготовленный мной, из официальной документации для IGBT модулей (или как их именуют — транзисторов).

Большинство производителей IGBT модулей на сто процентов тестируют их перед отправкой и гарантируют их соответствие утвержденным параметрическим данным.

Традиционно мы не советуем юзерам проводить повторные испытания, так как это может разрушить радиодеталь. Ежели Для вас все же нужно произвести проверку, то следуйте нижеуказанным тестам:

  • Никогда не подключайте к эмиттеру напряжение, превышающее значение Vces (указанно в документации для IGBT), а также ни когда не подключайте базу-коллектор к напряжению, превосходящему Vges, когда отслеживаете кривую линейных конфигураций напряжения.
  • Всегда используйте безопасный антистатический при транспортировке, опосля тестирования замените токопроводящий пенона контактах база-эмиттер.¹
  • Никогда не используйте напряжение больше 20В.

    для коллектора-эмиттера с открытой базой (с открытым затвором).

  • Избегайте теплового удара. Никогда не кладите прохладную деталь на нагревательные приборы. Интенсивность нагрева не обязана быть наиболее чем 10Сº/мин.

Процедура тестирования цифровым мультиметром (ЦММ):

Процедура тестирования цифровым мультиметром (ЦММ):

  • Период задержки подключения.
  • Тест оксидного слоя затвора: с помощью цифрового мультиметра, в режиме сопротивления, нужно замерить сопротивление меж затвором и коллектором, а также меж затвором и эмиттером, на исправных модулях оно равно бесконечности.

    На покоробленных IGBT модулях данные выводы могут быть замкнуты либо иметь утечку, что покажет наличие сопротивления меж затвором и коллектором и/или эмиттером.

  • Возможность функционирования при завышенной температуре (выше 100 градусов).
  • Требования к оборудованию – ЦММ с режимом проверки диодов и напряжением батареи наименее чем 20В. (Обычно юзаются батареи с напряжением 9V, к примеру «Крона»).
  • Наибольший допустимый ток.
  • Когда деталь находится вне схемы удалите токопроводящий пенои замкните базу на эмиттер.
  • Устойчивость к замыканиям.
  • Паразитная индуктивность.
  • Правильный подбор тока защиты.
  • Напряжение пробоя меж эмиттером и коллектором.
  • Период задержки выключения.
  • ЦММ в режиме проверки диодов, при подключении положительного полюса относительно эмиттера и отрицательного полюса относительно коллектора, должен отдать такие же результаты, как при проверке диодов.
  • Напряжение насыщения эмиттер-коллектор.
  • Выходная емкость.
  • Ограничение значения напряжения затвора методом использования стабилитрона в схеме затвора и эмиттера.

    Хорошая эффективность выходит за счет установки диодов к доп клеммам модуля. Диоды используются с малым разбросом и температурной зависимостью.

  • Цифровой мультиметр должен демонстрировать какое-либо значение, ежели положительный щуп подключен к коллектору, а отрицательный к эмиттеру. Покоробленный IGBT будет замкнут в обоих направлениях (положительном и отрицательном), либо открыт в обоих направлениях.
  • Эксплуатация с высочайшим напряжением (выше 1 кВ) и мощностями (более 5 кВт).
  • Ток отсечки эмиттер-коллектор.
  • Выбор сопротивления затвора.
  • Внутреннее сопротивление.
  • Простая параллельная схема.
  • При подаче напряжения положительного потенциала меж истоком и затвором полевой транзистор раскрывается, возникает n-канал меж стоком и истоком.
  • Начинается движение заряженных электронов из n-области в р-область, вследствие чего же раскрывается биполярный транзистор.

    В итоге этого от эмиттера к коллектору протекает электрический ток.

  • Повышенная плотность тока.
  • Отсутствие потерь.
  • Управляющее напряжение – это разность потенциалов, способная управлять работой затвора.
  • Входная емкость.
  • Малые утраты в открытом виде.
  • Тест перехода коллектор-эмиттер:
  • С помощью привязки к определенному значению напряжения. Это достигается тогда, когда драйвер затвора имеет неизменное напряжение. Основным методом является добавление в схему диода, имеющего маленькое падение напряжения (диод Шоттки).

    Значимый эффект выходит методом уменьшения индуктивности цепи затвора и питания.

  • Использование обходных путей коммутации.
  • Подключение в цепь отрицательной обратной связи эмиттера. Таковой метод доступен, когда подключен эмиттер драйвера затвора к клеммам эмиттера модуля.
  1. При подаче напряжения положительного потенциала меж истоком и затвором полевой транзистор раскрывается, возникает n-канал меж стоком и истоком.
  2. Наибольший допустимый ток.
  3. Эксплуатация с высочайшим напряжением (выше 1 кВ) и мощностями (более 5 кВт).
  4. Когда деталь находится вне схемы удалите токопроводящий пенои замкните базу на эмиттер.
  5. Тест оксидного слоя затвора: с помощью цифрового мультиметра, в режиме сопротивления, нужно замерить сопротивление меж затвором и коллектором, а также меж затвором и эмиттером, на исправных модулях оно равно бесконечности.

    На покоробленных IGBT модулях данные выводы могут быть замкнуты либо иметь утечку, что покажет наличие сопротивления меж затвором и коллектором и/или эмиттером.

  6. Напряжение пробоя меж эмиттером и коллектором.
  7. Правильный подбор тока защиты.
  8. С помощью привязки к определенному значению напряжения. Это достигается тогда, когда драйвер затвора имеет неизменное напряжение. Основным методом является добавление в схему диода, имеющего маленькое падение напряжения (диод Шоттки). Значимый эффект выходит методом уменьшения индуктивности цепи затвора и питания.
  9. Напряжение насыщения эмиттер-коллектор.
  10. Управляющее напряжение – это разность потенциалов, способная управлять работой затвора.
  11. Использование обходных путей коммутации.
  12. Ограничение значения напряжения затвора методом использования стабилитрона в схеме затвора и эмиттера.

    Хорошая эффективность выходит за счет установки диодов к доп клеммам модуля. Диоды используются с малым разбросом и температурной зависимостью.

  13. Входная емкость.
  14. Выбор сопротивления затвора.
  15. Период задержки подключения.
  16. Малые утраты в открытом виде.
  17. Ток отсечки эмиттер-коллектор.
  18. Простая параллельная схема.
  19. Внутреннее сопротивление.
  20. Отсутствие потерь.
  21. Начинается движение заряженных электронов из n-области в р-область, вследствие чего же раскрывается биполярный транзистор.

    В итоге этого от эмиттера к коллектору протекает электрический ток.

  22. Цифровой мультиметр должен демонстрировать какое-либо значение, ежели положительный щуп подключен к коллектору, а отрицательный к эмиттеру. Покоробленный IGBT будет замкнут в обоих направлениях (положительном и отрицательном), либо открыт в обоих направлениях.
  23. Устойчивость к замыканиям.
  24. Возможность функционирования при завышенной температуре (выше 100 градусов).
  25. Повышенная плотность тока.
  26. Выходная емкость.
  27. Период задержки выключения.
  28. Паразитная индуктивность.
  29. ЦММ в режиме проверки диодов, при подключении положительного полюса относительно эмиттера и отрицательного полюса относительно коллектора, должен отдать такие же результаты, как при проверке диодов.
  30. Подключение в цепь отрицательной обратной связи эмиттера.

    Таковой метод доступен, когда подключен эмиттер драйвера затвора к клеммам эмиттера модуля.

  1. При подаче напряжения положительного потенциала меж истоком и затвором полевой транзистор раскрывается, возникает n-канал меж стоком и истоком.
  2. Наибольший допустимый ток.
  3. Эксплуатация с высочайшим напряжением (выше 1 кВ) и мощностями (более 5 кВт).
  4. Когда деталь находится вне схемы удалите токопроводящий пенои замкните базу на эмиттер.
  5. Тест оксидного слоя затвора: с помощью цифрового мультиметра, в режиме сопротивления, нужно замерить сопротивление меж затвором и коллектором, а также меж затвором и эмиттером, на исправных модулях оно равно бесконечности.

    На покоробленных IGBT модулях данные выводы могут быть замкнуты либо иметь утечку, что покажет наличие сопротивления меж затвором и коллектором и/или эмиттером.

  6. Напряжение пробоя меж эмиттером и коллектором.
  7. Правильный подбор тока защиты.
  8. С помощью привязки к определенному значению напряжения. Это достигается тогда, когда драйвер затвора имеет неизменное напряжение. Основным методом является добавление в схему диода, имеющего маленькое падение напряжения (диод Шоттки). Значимый эффект выходит методом уменьшения индуктивности цепи затвора и питания.
  9. Напряжение насыщения эмиттер-коллектор.
  10. Управляющее напряжение – это разность потенциалов, способная управлять работой затвора.
  11. Использование обходных путей коммутации.
  12. Ограничение значения напряжения затвора методом использования стабилитрона в схеме затвора и эмиттера.

    Как проверить igbt модуль

    Хорошая эффективность выходит за счет установки диодов к доп клеммам модуля. Диоды используются с малым разбросом и температурной зависимостью.

  13. Входная емкость.
  14. Выбор сопротивления затвора.
  15. Период задержки подключения.
  16. Малые утраты в открытом виде.
  17. Ток отсечки эмиттер-коллектор.
  18. Простая параллельная схема.
  19. Внутреннее сопротивление.
  20. Отсутствие потерь.
  21. Начинается движение заряженных электронов из n-области в р-область, вследствие что раскрывается биполярный транзистор. В итоге этого от эмиттера к коллектору протекает электрический ток.
  22. Цифровой мультиметр должен демонстрировать какое-либо значение, ежели положительный щуп подключен к коллектору, а отрицательный к эмиттеру.

    Покоробленный IGBT будет замкнут в обоих направлениях (положительном и отрицательном), либо открыт в обоих направлениях.

  23. Устойчивость к замыканиям.
  24. Возможность функционирования при завышенной температуре (выше 100 градусов).
  25. Повышенная плотность тока.
  26. Выходная емкость.
  27. Период задержки выключения.
  28. Паразитная индуктивность.
  29. ЦММ в режиме проверки диодов, при подключении положительного полюса относительно эмиттера и отрицательного полюса относительно коллектора, должен отдать такие же результаты, как при проверке диодов.
  30. Подключение в цепь отрицательной обратной связи эмиттера. Таковой метод доступен, когда подключен эмиттер драйвера затвора к клеммам эмиттера модуля.
  • Тест оксидного слоя затвора: с помощью цифрового мультиметра, в режиме сопротивления, нужно замерить сопротивление меж затвором и коллектором, а также меж затвором и эмиттером, на исправных модулях оно равно бесконечности.

    На покоробленных IGBT модулях данные выводы могут быть замкнуты либо иметь утечку, что покажет наличие сопротивления меж затвором и коллектором и/или эмиттером.

1) Все IGBT модули отправляются изготовителем с токопроводящим пеном, на затворе и эмиттере. Никогда не прикасайтесь к выводам затвора во время монтажа и не удаляйте токопроводящий пено

Знаете ли вы, что проверить IGBT транзистор (узнать, годен ли он) можно даже без мультиметра.
Простейшая схема для проверки IGBT транзистора не содержит дефицитных либо дорогостоящих деталей.
Но до этого чем её собирать, откройте datasheet (документ с техническим описанием) определенной модели IGBT транзистора и пристально поглядите на соответствие настоящих выводов схематическим.

Как проверить igbt модуль

Другими словами, вы должны точно знать, где у IGBT транзистора вывод затвора (обозначается буковкой G – Gate), вывод эмиттера (E –Emitter) и вывод коллектора (С – Collector).
На рисунке пример для IGBT транзистора FGH60N60SFD

Обратите внимание, что один из выводов массивных транзисторов традиционно соединен с корпусом – конкретно потому, чтоб не допустить замыканий, корпуса транзисторов перед монтажом изолируют особыми термостойкими прокладками.

Чтобы проверить IGBT транзистор, принципиально знать, как его верно подключить!

Обратите внимание на полярность!

1. В правом (по схеме) положении тумблера IGBT транзистор открыт (лампочка светится, ежели он исправен).
2. В левом — IGBT транзистор закрыт (лампочка НЕ светится, ежели он исправен).
Поклацайте переключателем туда-сюда.
Если лампочка не светится – транзистор не пропускает ток. Возможно, из-за отсутствия контакта снутри корпуса либо некорректно собранной схемы!
Если лампочка светится повсевременно – снутри транзистора вышло короткое замыкание!

Таковой IGBT транзистор лучше сходу выбросить – при его случайной установке в схему в ней практически произойдет короткое замыкание, и «полетят» остальные детали!
Как видите, проверить IGBT транзистор просто даже без мультиметра.

Купить IGBT транзисторы по самым низким ценам можно —> здесь

Железнодорожные системы

Железные дороги завлекают внимание тем, что это стремительный вид транспорта с минимальным отрицательным действием на окружающую среду. Mitsubishi Electric стремится повысить экологические характеристики за счет свежих технологий, таковых как подвижной состав с низким энергопотреблением, регенерация электрической энергии, регулируемый уровень перегрузки и т.п.

Будучи единственным производителем, чье оборудование может двигать, останавливать и управлять подвижным составом, Mitsubishi Electric поставило электрическое оборудование и системы приблизительно для 38 000 вагонов в 29 странах по всему миру. Благодаря передовым технологиям, которыми владеет Mitsubishi Electric, компания играет важную роль в развитии транспортной инфраструктуры. Одним из крайних достижений компании является пуск вагонного тягового инвертера с силовым модулем вполне на SiC.

Как проверить igbt модуль

Новенькая система уменьшает утраты при переключении на 55% по сопоставлению с обыкновенной инверторной системой Mitsubishi Electric. Не считая того, данное решение наращивает количество возвращаемой в сеть энергии при использовании рекуперативного торможения во всем спектре скоростей. В итоге полное энергопотребление систем вагона, включая движки, миниатюризируется приблизительно на 30% по сопоставлению с обыденным вагоном. Посреди систем наземного базирования можно выделить, такую систему как Station Energy Saving Inverter (S-EIV®). S-EIV® дозволяет отлично применять энергию возвращаемую при рекуперативном торможении, подавая ее прямо на станцию, минуя накопители энергии.

Такое оборудование раз в день экономит приблизительно 600 кВ × ч энергии, достаточной для 60 домовладений.

В настоящее время в электронике имеют огромную популярность IGBT транзисторы. Ежели расшифровать эту аббревиатуру с британского языка, то это биполярный транзистор с изолированным затвором. Он применяется в виде электронного массивного ключа для систем управления приводами устройств, в х питания.

Этот силовой транзистор соединяет в для себя характеристики биполярного и полевого транзистора. Он управляется методом подачи напряжения на затвор, изолированный от цепи. Соответствующим свойством этого транзистора является низкая величина мощности управления, которая применяется для переключений массивных силовых цепей.

Наибольшей популярностью пользуются IGBT в силовых цепях преобразователей частоты и электродвигателей переменного тока мощностью до 1 мегаватта.

По вольтамперным свойствам эти транзисторы подобны биполярным моделям полупроводников, но качество и чистота коммутации у них намного больше.

Современные технологии производства дают возможность улучшить транзисторы по многофункциональным чертам. Уже разработаны полупроводники, способные работать при большем напряжении и величине тока.

Основные параметры

1) Все IGBT модули отправляются изготовителем с токопроводящим пеном, на затворе и эмиттере.

Никогда не прикасайтесь к выводам затвора во время монтажа и не удаляйте токопроводящий пено

Знаете ли вы, что проверить IGBT транзистор (узнать, годен ли он) можно даже без мультиметра.
Простейшая схема для проверки IGBT транзистора не содержит дефицитных либо дорогостоящих деталей.
Но до этого чем её собирать, откройте datasheet (документ с техническим описанием) определенной модели IGBT транзистора и пристально поглядите на соответствие настоящих выводов схематическим. Другими словами, вы должны точно знать, где у IGBT транзистора вывод затвора (обозначается буковкой G – Gate), вывод эмиттера (E –Emitter) и вывод коллектора (С – Collector).

На рисунке пример для IGBT транзистора FGH60N60SFD

Обратите внимание, что один из выводов массивных транзисторов традиционно соединен с корпусом – конкретно потому, чтоб не допустить замыканий, корпуса транзисторов перед монтажом изолируют особыми термостойкими прокладками.

Чтобы проверить IGBT транзистор, принципиально знать, как его верно подключить! Обратите внимание на полярность!

1.

В правом (по схеме) положении тумблера IGBT транзистор открыт (лампочка светится, ежели он исправен).
2. В левом — IGBT транзистор закрыт (лампочка НЕ светится, ежели он исправен).
Поклацайте переключателем туда-сюда.
Если лампочка не светится – транзистор не пропускает ток. Возможно, из-за отсутствия контакта снутри корпуса либо некорректно собранной схемы!
Если лампочка светится повсевременно – снутри транзистора вышло короткое замыкание! Таковой IGBT транзистор лучше сходу выбросить – при его случайной установке в схему в ней практически произойдет короткое замыкание, и «полетят» остальные детали!
Как видите, проверить IGBT транзистор просто даже без мультиметра.

Купить IGBT транзисторы по самым низким ценам можно —> здесь

Железнодорожные системы

Железные дороги завлекают внимание тем, что это стремительный вид транспорта с минимальным отрицательным действием на окружающую среду.

Mitsubishi Electric стремится повысить экологические характеристики за счет свежих технологий, таковых как подвижной состав с низким энергопотреблением, регенерация электрической энергии, регулируемый уровень перегрузки и т.п. Будучи единственным производителем, чье оборудование может двигать, останавливать и управлять подвижным составом, Mitsubishi Electric поставило электрическое оборудование и системы приблизительно для 38 000 вагонов в 29 странах по всему миру. Благодаря передовым технологиям, которыми владеет Mitsubishi Electric, компания играет важную роль в развитии транспортной инфраструктуры.

Одним из крайних достижений компании является пуск вагонного тягового инвертера с силовым модулем на сто процентов на SiC. Новенькая система уменьшает утраты при переключении на 55% по сопоставлению с обыкновенной инверторной системой Mitsubishi Electric. Не считая того, данное решение наращивает количество возвращаемой в сеть энергии при использовании рекуперативного торможения во всем спектре скоростей. В итоге полное энергопотребление систем вагона, включая движки, миниатюризируется приблизительно на 30% по сопоставлению с обыденным вагоном.

Как проверить igbt модуль

Посреди систем наземного базирования можно выделить, такую систему как Station Energy Saving Inverter (S-EIV®). S-EIV® дозволяет отлично употреблять энергию возвращаемую при рекуперативном торможении, подавая ее прямо на станцию, минуя накопители энергии. Такое оборудование раз в день экономит приблизительно 600 кВ × ч энергии, достаточной для 60 домовладений.

В настоящее время в электронике имеют огромную популярность IGBT транзисторы.

Ежели расшифровать эту аббревиатуру с британского языка, то это биполярный транзистор с изолированным затвором. Он применяется в виде электронного массивного ключа для систем управления приводами устройств, в х питания.

Этот силовой транзистор соединяет в для себя характеристики биполярного и полевого транзистора. Он управляется методом подачи напряжения на затвор, изолированный от цепи. Соответствующим свойством этого транзистора является низкая величина мощности управления, которая применяется для переключений массивных силовых цепей.

Наибольшей популярностью пользуются IGBT в силовых цепях преобразователей частоты и электродвигателей переменного тока мощностью до 1 мегаватта.

По вольтамперным свойствам эти транзисторы подобны биполярным моделям полупроводников, но качество и чистота коммутации у них намного больше.

Современные технологии производства дают возможность улучшить транзисторы по многофункциональным чертам. Уже разработаны полупроводники, способные работать при большем напряжении и величине тока.

Основные параметры
  • Входная емкость.
  • Наибольший допустимый ток.
  • Период задержки подключения.
  • Управляющее напряжение – это разность потенциалов, способная управлять работой затвора.
  • Напряжение пробоя меж эмиттером и коллектором.
  • Ток отсечки эмиттер-коллектор.
  • Период задержки выключения.
  • Паразитная индуктивность.
  • Напряжение насыщения эмиттер-коллектор.
  • Выходная емкость.
  • Внутреннее сопротивление.

Принцип деяния транзистора заключается в 2-ух этапах:

Принцип деяния транзистора заключается в 2-ух этапах:
  • При подаче напряжения положительного потенциала меж истоком и затвором полевой транзистор раскрывается, возникает n-канал меж стоком и истоком.
  • Начинается движение заряженных электронов из n-области в р-область, вследствие чего же раскрывается биполярный транзистор.

    В итоге этого от эмиттера к коллектору протекает электрический ток.

В регуляторах скорости используются IGBT транзисторы с рабочей частотой в несколько 10-ов кГц.

Достоинства

В регуляторах скорости используются IGBT транзисторы с рабочей частотой в несколько 10-ов кГц.

Достоинства
  • Устойчивость к замыканиям.
  • Отсутствие потерь.
  • Возможность функционирования при завышенной температуре (выше 100 градусов).
  • Простая параллельная схема.
  • Повышенная плотность тока.
  • Малые утраты в открытом виде.
  • Эксплуатация с высочайшим напряжением (выше 1 кВ) и мощностями (более 5 кВт).
При проектировании схем подключения с транзисторами необходимо иметь ввиду, что существует ограничение по большему току.

Для этого используют некие способы:

При проектировании схем подключения с транзисторами необходимо иметь ввиду, что существует ограничение по большему току. Для этого используют некие способы:
  • Выбор сопротивления затвора.
  • Правильный подбор тока защиты.
  • Использование обходных путей коммутации.
Устройство и работа

Внутреннее устройство IGBT транзисторов включает в себя каскад 2-ух электронных ключей, управляющих конечным выходом.

IGBT транзисторы служат для приближения токов замыкания к безопасному значению.

Они ограничивают напряжение затвора последующими методами:

Устройство и работа

Внутреннее устройство IGBT транзисторов включает в себя каскад 2-ух электронных ключей, управляющих конечным выходом.

IGBT транзисторы служат для приближения токов замыкания к безопасному значению. Они ограничивают напряжение затвора последующими методами:
  • Ограничение значения напряжения затвора методом использования стабилитрона в схеме затвора и эмиттера.

    Хорошая эффективность выходит за счет установки диодов к доп клеммам модуля. Диоды используются с малым разбросом и температурной зависимостью.

  • С помощью привязки к определенному значению напряжения. Это достигается тогда, когда драйвер затвора имеет неизменное напряжение. Основным методом является добавление в схему диода, имеющего маленькое падение напряжения (диод Шоттки). Значимый эффект выходит методом уменьшения индуктивности цепи затвора и питания.
  • Подключение в цепь отрицательной обратной связи эмиттера. Таковой метод доступен, когда подключен эмиттер драйвера затвора к клеммам эмиттера модуля.
Сфера использования

IGBT транзисторы почаще всего работают в сетях высочайшего напряжения до 6,5 киловольт для надежной и безопасной работы электроустановок в аварийном режиме при маленьких замыканиях.

Вышеперечисленные характеристики транзисторов дают возможность применять их в частотно-регулируемых приводах, инверторах, импульсных регуляторах тока, а также в сварочных аппаратах.

Также IGBT используются в системах массивных приводов управления электровозов, троллейбусов.

Это увеличивает КПД и делает завышенную плавность хода.

Силовые транзисторы обширно юзаются в цепях высочайшего напряжения. Они входят в состав схем посудомоечных машин, бытовых кондюков, авто зажигания, блоков питания телекоммуникационного оборудования.

Проверка исправности

IGBT транзисторы проверяются в вариантах ревизии при неисправностях электрического устройства. Проверку проводят с помощью мультитестера методом прозвонки электродов эмиттера и коллектора в 2-ух направлениях, чтоб проверить отсутствие замыкания.

Емкость входа эмиттер-затвор нужно зарядить отрицательным напряжением. Это делается кратковременным касанием щупа мультиметра «СОМ» затвора и щупа «V/Ω/f» эмиттера.

Чтобы произвести проверку, необходимо убедиться, работает ли в обычном режиме транзистор. Для этого зарядим емкость на входе эмиттер-затвор положительным полюсом. Это делается маленьким касанием щупа «V/Ω/f» затвора, а щупа «СОМ» эмиттера.

Как проверить igbt модуль

Контролируется разность потенциалов эмиттера и коллектора, которая не обязана превосходить 1,5 вольта. Ежели напряжения тестера не хватит для открывания транзистора, то входную емкость можно зарядить от питания напряжением до 15 вольт.

Условное обозначение
Транзисторы имеют комбинированную структуру, то и обозначения у них соответствующие:

IGBT модули

Силовые транзисторы производятся не лишь в виде отдельных полупроводников, но и в виде модулей.

Такие модули входят в состав частотных преобразователей для управления электромоторами.

Схема преобразователя частоты имеет технологичность производства выше, ежели в состав входят модули IGBT транзисторов. На изображенном модуле выполнен мост из 2-ух силовых транзисторов.

IGBT транзисторы нормально работают при рабочей частоте до 50 кГц.

Как проверить igbt модуль

Ежели частоту увеличивать, то увеличиваются и утраты. Свои способности силовые транзисторы проявляют очень при напряжении выше 400 В. Потому такие транзисторы нередко встречаются в массивных электрических устройствах высочайшего напряжения, а также в промышленном оборудовании.

Из истории возникновения

Полевые транзисторы стали появляться в 1973 году. Потом разработали составной транзистор, который оснастили управляемым транзистором с помощью полевого полупроводника с затвором.

Первые силовые транзисторы имели недочеты, выражавшиеся в медленном переключении, низкой надежностью.

Опосля 90 годов и по настоящее время эти недочеты устранены. Силовые полупроводники имеют завышенное входное сопротивление, малый уровень управляющей мощности, малый показатель остаточного напряжения.

Сейчас есть модели транзисторов, способных коммутировать ток до пары сотен ампер, с рабочим напряжением в тыщи вольт.

Похожие темы:
Сфера использования

IGBT транзисторы почаще всего работают в сетях высочайшего напряжения до 6,5 киловольт для надежной и безопасной работы электроустановок в аварийном режиме при маленьких замыканиях.

Вышеперечисленные характеристики транзисторов дают возможность употреблять их в частотно-регулируемых приводах, инверторах, импульсных регуляторах тока, а также в сварочных аппаратах.

Также IGBT используются в системах массивных приводов управления электровозов, троллейбусов.

Это увеличивает КПД и делает завышенную плавность хода.

Силовые транзисторы обширно юзаются в цепях высочайшего напряжения. Они входят в состав схем посудомоечных машин, бытовых кондюков, авто зажигания, блоков питания телекоммуникационного оборудования.

Проверка исправности

IGBT транзисторы проверяются в вариантах ревизии при неисправностях электрического устройства. Проверку проводят с помощью мультитестера методом прозвонки электродов эмиттера и коллектора в 2-ух направлениях, чтоб проверить отсутствие замыкания. Емкость входа эмиттер-затвор нужно зарядить отрицательным напряжением.

Это делается кратковременным касанием щупа мультиметра «СОМ» затвора и щупа «V/Ω/f» эмиттера.

Чтобы произвести проверку, необходимо убедиться, работает ли в обычном режиме транзистор. Для этого зарядим емкость на входе эмиттер-затвор положительным полюсом. Это делается маленьким касанием щупа «V/Ω/f» затвора, а щупа «СОМ» эмиттера. Контролируется разность потенциалов эмиттера и коллектора, которая не обязана превосходить 1,5 вольта. Ежели напряжения тестера не хватит для открывания транзистора, то входную емкость можно зарядить от питания напряжением до 15 вольт.

Условное обозначение
Транзисторы имеют комбинированную структуру, то и обозначения у них соответствующие:

IGBT модули

Силовые транзисторы производятся не лишь в виде отдельных полупроводников, но и в виде модулей.

Такие модули входят в состав частотных преобразователей для управления электромоторами.

Схема преобразователя частоты имеет технологичность производства выше, ежели в состав входят модули IGBT транзисторов. На изображенном модуле выполнен мост из 2-ух силовых транзисторов.

IGBT транзисторы нормально работают при рабочей частоте до 50 кГц. Ежели частоту увеличивать, то увеличиваются и утраты. Свои способности силовые транзисторы проявляют очень при напряжении выше 400 В.

Потому такие транзисторы нередко встречаются в массивных электрических устройствах высочайшего напряжения, а также в промышленном оборудовании.

Из истории возникновения

Полевые транзисторы стали появляться в 1973 году. Потом разработали составной транзистор, который оснастили управляемым транзистором с помощью полевого полупроводника с затвором.

Первые силовые транзисторы имели недочеты, выражавшиеся в медленном переключении, низкой надежностью.

Опосля 90 годов и по настоящее время эти недочеты устранены. Силовые полупроводники имеют завышенное входное сопротивление, малый уровень управляющей мощности, малый показатель остаточного напряжения.

Сейчас есть модели транзисторов, способных коммутировать ток до пары сотен ампер, с рабочим напряжением в тыщи вольт.

Похожие темы:


ВИДЕО ПО ТЕМЕ: